Транзистор IXYS MMIX1T600N04T2 N-MOSFET 40В 600А GigaMOS

Транзистор IXYS MMIX1T600N04T2 — це польовий N-MOSFET з технологією GigaMOS™ та TrenchT2™. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 600 А, що визначає його потужнісний клас.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Максимальний струм стоку: 600 А
• Опір у відкритому стані: 1,3 мОм
• Потужність розсіювання: 830 Вт
• Корпус: SMPD, монтаж поверхневий

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 40 В, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 600 А, при цьому імпульсний струм може досягати 2 кА. Опір у відкритому стані (Rds) становить 1,3 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 830 Вт.

Технологія та корпус

Транзистор виконаний у корпусі SMPD з поверхневим типом монтажу. Застосовані технології GigaMOS™ та TrenchT2™ характеризують структуру каналу. Час готовності пристрою становить 100 нс. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.