Транзистор польовий N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, GigaMOS™, 300 В, 102 А, 570 Вт, SMPD
3 790 ₴
- В наявності
- Код: TM204806
Транзистор польовий N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, GigaMOS™, 300 В, 102 А, 570 Вт, SMPDВ наявності
3 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, виконаний за технологіями GigaMOS™, HiPerFET™ і Trench™, з напругою стік-витік 300 В і струмом стоку 102 А.
- Тип: N-MOSFET
- Напруга стік-витік: 300 В
- Струм стоку: 102 А
- Імпульсний струм стоку: 440 А
- Розсіювана потужність: 570 Вт
- Опір у стані провідності: 20 мОм
Електричні параметри
Імпульсний струм стоку становить 440 А, розсіювана потужність — 570 Вт. Напруга затвор-витік — ±20 В, опір у стані провідності — 20 мОм. Заряд затвора — 367 нКл, час готовності — 200 нс. Канал збагаченого типу, транзистор уніполярний.
Корпус і монтаж
Транзистор випускається в корпусі SMPD, монтаж — поверхневий (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 570 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 102 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 200 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SMPD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 790 ₴