Транзистор IXYS MMIX1F132N50P3 N-MOSFET 500В 63А SMPD

Транзистор IXYS MMIX1F132N50P3 — це польовий N-MOSFET з каналом збагачення, що працює за технологією Polar3™. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 63 А, а також імпульсний струм до 330 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 63 А
• Імпульсний струм: 330 А
• Опір у відкритому стані: 43 мОм
• Корпус: SMPD, монтаж поверхневий

Напруга та струм

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік обмежена 30 В. Струм стоку в нормальному режимі досягає 63 А, а в імпульсному режимі може сягати 330 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 43 мОм. Максимальна потужність розсіювання транзистора — 520 Вт.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі SMPD із поверхневим монтажем. Час готовності пристрою становить 250 нс, що характеризує швидкодію перемикання. Заряд затвора — 267 нКл. Транзистор є однополярним із каналом збагачення, що реалізує технологію HiPerFET™ та Polar3™.