Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ176, 2 мА, 0,225 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM204787
Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ176, 2 мА, 0,225 Вт, SOT23 (набір 30 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ176 у корпусі SOT23 зі струмом стоку 2 мА і розсіюваною потужністю 0,225 Вт. У наборі 30 шт.
- Тип: P-JFET
- Струм стоку: 2 мА
- Розсіювана потужність: 0,225 Вт
- Напруга затвор-витік: 30 В
- Корпус: SOT23
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Струм затвора становить 50 мА. Напруга затвор-витік — 30 В. Транзистор уніполярний.
Монтаж
Монтаж транзистора — поверхневий (SMD). Символ TME — MMBFJ176.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.002 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴