Транзистор ONSEMI MJD127T4G, PNP, Darlington, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM204757
Транзистор ONSEMI MJD127T4G, PNP, Darlington, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MJD127T4G — це біполярний транзистор структури PNP з схемою Дарлінгтона. Монтаж: поверхневий. Корпус: DPAK. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип транзистора: біполярний PNP, схема Дарлінгтона
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Максимальний струм колектора: 8 А
- Максимальна потужність розсіювання: 20 Вт
- Корпус: DPAK, тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 100 В та максимальний струм колектора 8 А. Максимальна потужність розсіювання становить 20 Вт.
Конструкція та монтаж
Корпус: DPAK (поверхневий монтаж). Тип транзистора — біполярний, з внутрішньою схемою Дарлінгтона.
Комплектація
У наборі міститься 20 транзисторів MJD127T4G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 8 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴