Транзистор ONSEMI MJD122T4G, NPN, Darlington, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)

Транзистор ONSEMI MJD122T4G — це біполярний транзистор структури Дарлінгтона з типом провідності NPN. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі DPAK. У комплекті поставляється 20 штук.

• Тип транзистора: біполярний, структура Дарлінгтона
• Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
• Максимальний струм колектора: 8 А
• Потужність розсіювання: 1,75 Вт
• Гранична частота передачі: 4 МГц
• Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 100 В та максимальний струм колектора 8 А. Максимальна потужність розсіювання становить 1,75 Вт. Гранична частота передачі сигналу дорівнює 4 МГц.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Полярність та структура визначені як біполярна з ефектом Дарлінгтона.

Комплектація

У наборі міститься 20 транзисторів моделі MJD122T4G від виробника ONSEMI.