Транзистор ONSEMI MJD112-1G NPN Darlington 100V 2A IPAK (набір 20 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM204753
Транзистор ONSEMI MJD112-1G NPN Darlington 100V 2A IPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MJD112-1G — це біполярний транзистор типу NPN зі схемою Дарлінгтона. Товар поставляється комплектом із 20 одиниць у корпусі IPAK для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: NPN, біполярний, схема Дарлінгтона
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 2 А
- Потужність розсіювання: 1,75 Вт
- Коефіцієнт підсилення (hFE): 100...12000
- Корпус: IPAK, монтаж: THT
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 100 В та струм колектора 2 А. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) становить від 100 до 12000. Потужність розсіювання дорівнює 1,75 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі IPAK. Монтаж здійснюється методом встановлення в отвори (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.75 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴