Транзистор P-MOSFET DIOTEC MD06P115 — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Потужність розсіювання: 1,5 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір Rds: 85 мОм
- Корпус: SOT26, SOT457
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри та струм
Максимальна потужність розсіювання становить 1,5 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 85 мОм. Максимальний струм стоку в імпульсі становить -20 А, а заряд затвора — 16 нКл.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус: SOT26, SOT457. Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT26, SOT457 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴

