Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO252 (набір 5 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM203741
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO252 (набір 5 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T технології TrenchP™ — уніполярний польовий транзистор із каналом збагаченого типу в корпусі TO252. Основні параметри за найменуванням: -100 В, -18 А, 83 Вт. У наборі 5 шт.
- Тип: P-MOSFET, TrenchP™
- Напруга: -100 В
- Струм: -18 А
- Потужність розсіювання: 83 Вт
- Опір у відкритому стані: 120 мОм
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання — 83 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 120 мОм. Заряд затвора — 39 нКл, час готовності — 62 нс.
Монтаж
Корпус — TO252, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 62 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴