Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T, -200 В, -120 А, 1040 Вт, PLUS247
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM203740
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T, -200 В, -120 А, 1040 Вт, PLUS247В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T технології TrenchP™ — уніполярний польовий транзистор із каналом збагаченого типу в корпусі PLUS247™. Основні параметри за найменуванням: -200 В, -120 А, 1040 Вт.
- Тип: P-MOSFET, TrenchP™
- Напруга: -200 В
- Струм: -120 А
- Потужність розсіювання: 1040 Вт
- Опір у відкритому стані: 30 мОм
- Корпус: PLUS247™
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання — 1040 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 30 мОм. Заряд затвора — 740 нКл, час готовності — 300 нс.
Монтаж
Тип монтажу — вставний (в отвори).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1040 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | PLUS247™ |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴