Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T, -200 В, -68 А, 568 Вт, TO268
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM203739
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T, -200 В, -68 А, 568 Вт, TO268В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T за технологією TrenchP™. Напруга стік-витік — -200 В, струм стоку — -68 А, максимальна потужність розсіювання — 568 Вт.
- Напруга стік-витік: -200 В
- Струм стоку: -68 А
- Потужність розсіювання: 568 Вт
- Опір у відкритому стані: 55 мОм
- Напруга затвор-витік: 15 В
- Корпус: TO268
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 55 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Заряд затвора — 380 нКл, час готовності — 245 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO268, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 568 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 245 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO268 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴