Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10, -100 В, -50 А, 300 Вт, TO268 (набір 3 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM203738
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10, -100 В, -50 А, 300 Вт, TO268 (набір 3 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10. Напруга стік-витік — -100 В, струм стоку — -50 А, максимальна потужність розсіювання — 300 Вт. У наборі 3 шт.
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -50 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 55 мОм
- Корпус: TO268
- Кількість у наборі: 3 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 55 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 0,14 мкКл, час готовності — 180 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO268, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 180 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO268 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴