Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT16P60P, -600 В, -16 А, 460 Вт, TO268 (набір 2 шт.)
3 110 ₴
- В наявності
- Код: TM203736
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT16P60P, -600 В, -16 А, 460 Вт, TO268 (набір 2 шт.)В наявності
3 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTT16P60P за технологією PolarP™. Напруга стік-витік — -600 В, струм стоку — -16 А, максимальна потужність розсіювання — 460 Вт. У наборі 2 шт.
- Напруга стік-витік: -600 В
- Струм стоку: -16 А
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Опір у відкритому стані: 720 мОм
- Корпус: TO268
- Кількість у наборі: 2 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 720 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 92 нКл, час готовності — 440 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO268, тип монтажу — поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 720 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 440 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO268 |
| Технологія | PolarP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 110 ₴