Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ88N30P, 300 В, 88 А, 600 Вт, TO3P (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ88N30P — це силовий польовий транзистор з технологією PolarHT™ у корпусі TO3P.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 300 В
• Максимальний струм стоку: 88 А
• Потужність розсіювання: 600 Вт
• Опір у відкритому стані: 40 мОм
• Корпус: TO3P, вставний монтаж
• Технологія: PolarHT™
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 600 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 300 В, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) складає 40 мОм, що впливає на втрати при провідності.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Використовується технологія PolarHT™, яка є частиною назви моделі. Час готовності (turn-on time) становить 250 нс.

Канал та полярність

Транзистор має збагачуваний канал (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny). Заряд затвора становить 180 нКл. Символ виробника: IXTQ88N30P.