Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ34N65X2M, 650 В, 34 А, TO3PF (набір 3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ34N65X2M — це польовий транзистор типу N-MOSFET у корпусі TO3PF. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 34 А.

• Тип: N-MOSFET, польовий транзистор
• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 34 А
• Потужність розсіювання: 40 Вт
• Корпус: TO3PF, вставний монтаж
• Опір відкритого стану: 96 мОм
• Кількість у наборі: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та максимально допустимий струм стоку 34 А. Максимальна потужність розсіювання становить 40 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 96 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO3PF із вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В.

Додаткові характеристики за даними магазину TME

Згідно з даними магазину TME, імпульсний струм стоку (Idm) становить 48 А, а заряд затвора — 54 нКл. Символ виробника та TME: IXTQ34N65X2M. У наборі поставляється 3 транзистори.