Транзистор IXYS IXTQ26P20P, P-MOSFET, PolarP™, TO3P, 300 Вт, 26 А (набір 3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ26P20P — це польовий P-MOSFET транзистор із технологією PolarP™ у корпусі TO3P. Прилад має максимальну потужність розсіювання 300 Вт. У комплекті поставляється 3 штуки.

• Тип транзистора: польовий P-MOSFET
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані: 170 мОм
• Корпус: TO3P
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри та характеристики каналу

Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 170 мОм.

Конструкція та монтаж

Виріб виготовлений за технологією PolarP™ і має корпус TO3P. Тип монтажу — вставний. Час готовності (ready time) становить 240 нс, а заряд затвора — 56 нКл.

Комплектація та ідентифікація

У наборі знаходиться 3 транзистори.