Транзистор IXYS IXTQ22N50P N-MOSFET 500В 22А 350Вт TO3P (набір 3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ22N50P — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO3P. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 22 А при потужності розсіювання 350 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 22 А
• Потужність розсіювання: 350 Вт
• Корпус: TO3P, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 270 мОм
• Кількість у наборі: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 500 В та максимально допустимий струм стоку 22 А. Максимальна потужність розсіювання становить 350 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 270 мОм, що впливає на втрати при провідності.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Час готовності (switching time) становить 400 нс, що характеризує швидкодію перемикання.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 3 транзистори IXYS IXTQ22N50P. Символ виробника та TME ідентичний: IXTQ22N50P. Заряд затвора становить 50 нКл, що впливає на енергію керування при перемиканні. Компонент належить до категорії стандартних силових MOSFET.