Транзистор IXYS IXTQ130N20T, N-MOSFET, 200 В, 75 А, TO3P (3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ130N20T — це польовий N-MOSFET з технологією Trench™, з максимальною напругою стік-витік 200 В та струмом стоку 75 А. У комплекті поставляється 3 одиниці в корпусі TO3P.

• Тип транзистора: N-MOSFET, Trench™
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 75 А
• Опір у відкритому стані: 16 мОм
• Корпус: TO3P, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 200 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 75 А, при цьому імпульсний струм може досягати 320 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 16 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 830 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією.

Комплектація та додаткові параметри

У наборі знаходиться 3 транзистори. Символ виробника: IXTQ130N20T. Заряд затвора становить 150 нКл.