Транзистор IXYS IXTP36N30P N-MOSFET 300В 36А PolarHT™ — набір 5 шт.

Транзистор IXYS IXTP36N30P — це N-MOSFET з технологією PolarHT™. Прилад має максимальну допустиму напругу стік-витік 300 В, максимальний струм стоку 36 А, потужність розсіювання 300 Вт та час готовності 250 нс.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 300 В
• Максимальний струм стоку: 36 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані: 110 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Технологія: PolarHT™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу N та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга стік-витік становить 300 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 36 А, що визначає його пропускну здатність у відкритому стані.

Потужність та опір у відкритому стані

Максимальна потужність розсіювання приладу становить 300 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 110 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний. Час готовності становить 250 нс.

Комплектація та заряд затвора

У комплекті поставки знаходиться 5 транзисторів IXTP36N30P. Заряд затвора становить 70 нКл.