Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T, -200 В, -32 А, 300 Вт, TO220AB (набір 2 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM203718
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T, -200 В, -32 А, 300 Вт, TO220AB (набір 2 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T за технологією TrenchP™. Напруга стік-витік — -200 В, струм стоку — -32 А, максимальна потужність розсіювання — 300 Вт. У наборі 2 шт.
- Напруга стік-витік: -200 В
- Струм стоку: -32 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 130 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у наборі: 2 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 130 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Заряд затвора — 185 нКл, час готовності — 190 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO220AB, тип монтажу — вставний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 190 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴