Транзистор IXYS IXTP26P20P, P-MOSFET, 300 Вт, 3 шт.
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM203717
Транзистор IXYS IXTP26P20P, P-MOSFET, 300 Вт, 3 шт.В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTP26P20P — це польовий P-MOSFET у корпусі TO220AB. У комплекті 3 шт. Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 300 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 170 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (FET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 170 мОм. Заряд затвора — 56 нКл.
Конструкція та монтаж
Виріб виготовлений за технологією PolarP™. Корпус — TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Час готовності — 240 нс.
Комплектація та ідентифікація
У наборі 3 транзистори. Символ виробника: IXTP26P20P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 170 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 240 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | PolarP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴