Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO220AB (набір 10 шт.)
3 380 ₴
- В наявності
- Код: TM203716
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
3 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTP18P10T за технологією TrenchP™. Напруга стік-витік — -100 В, струм стоку — -18 А, максимальна потужність розсіювання — 83 Вт. У наборі 10 шт.
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -18 А
- Потужність розсіювання: 83 Вт
- Опір у відкритому стані: 120 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 120 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Заряд затвора — 39 нКл, час готовності — 62 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO220AB, тип монтажу — вставний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 62 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 380 ₴