Транзистор P-MOSFET IXYS IXTK32P60P, -600 В, -32 А, 890 Вт, TO264 (набір 2 шт.)
3 310 ₴
- В наявності
- Код: TM203711
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTK32P60P, -600 В, -32 А, 890 Вт, TO264 (набір 2 шт.)В наявності
3 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTK32P60P за технологією PolarP™. Напруга стік-витік — -600 В, струм стоку — -32 А, максимальна потужність розсіювання — 890 Вт. У наборі 2 шт.
- Напруга стік-витік: -600 В
- Струм стоку: -32 А
- Потужність розсіювання: 890 Вт
- Опір у відкритому стані: 350 мОм
- Корпус: TO264
- Кількість у наборі: 2 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 350 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора — 196 нКл, час готовності — 480 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO264, тип монтажу — вставний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 890 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 480 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO264 |
| Технологія | PolarP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 310 ₴