Транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T, -100 В, -76 А, 298 Вт, TO247-3 (набір 3 шт.)
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM203709
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T, -100 В, -76 А, 298 Вт, TO247-3 (набір 3 шт.)В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T за технологією TrenchP™. Напруга стік-витік — -100 В, струм стоку — -76 А, максимальна потужність розсіювання — 298 Вт. У наборі 3 шт.
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -76 А
- Потужність розсіювання: 298 Вт
- Опір у відкритому стані: 25 мОм
- Корпус: TO247-3
- Кількість у наборі: 3 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) — 25 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Заряд затвора — 197 нКл, час готовності — 70 нс. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), поляризація — уніполярна.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO247-3, тип монтажу — вставний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 298 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 70 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴