Транзистор IXYS IXTH50P10 P-MOSFET -100В -50А TO247-3 (2 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM203706
Транзистор IXYS IXTH50P10 P-MOSFET -100В -50А TO247-3 (2 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор IXYS IXTH50P10 у корпусі TO247-3. Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а струм — -50 А.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 300 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 55 мОм
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Максимальна потужність розсіювання дорівнює 300 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 55 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3. Тип монтажу — вставний. Час готовності — 180 нс.
Додаткові характеристики та комплектація
Заряд затвора становить 0,14 мкКл. Транзистор є уніполярним. У наборі 2 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 180 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴