Транзистор IXYS IXTH110N10L2, N-MOSFET, 100В, 110А, 600Вт, TO247-3 (2 шт.)
3 580 ₴
- В наявності
- Код: TM203700
Транзистор IXYS IXTH110N10L2, N-MOSFET, 100В, 110А, 600Вт, TO247-3 (2 шт.)В наявності
3 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTH110N10L2 — це польовий N-MOSFET з максимальним струмом стоку 110 А та напругою стік-витік 100 В. Прилад має максимальну потужність розсіювання 600 Вт та опір у відкритому стані 18 мОм.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 110 А
- Потужність розсіювання: 600 Вт
- Опір у відкритому стані: 18 мОм
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та витримує струм стоку до 110 А. Потужність розсіювання становить 600 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Час готовності становить 230 нс. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany).
Додаткові характеристики та комплектація
У комплекті поставляється 2 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 600 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 230 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 580 ₴