Транзистор IXYS IXTA32P05T P-MOSFET TrenchP™, -50В, -32А, TO263 (5 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM203697
Транзистор IXYS IXTA32P05T P-MOSFET TrenchP™, -50В, -32А, TO263 (5 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор IXYS IXTA32P05T виготовлений за технологією TrenchP™ у корпусі TO263. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 83 Вт та опір у відкритому стані 39 мОм.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Технологія: TrenchP™
- Корпус: TO263 (поверхневий монтаж)
- Максимальна потужність розсіювання: 83 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 39 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 15 В
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри та характеристики
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 15 В. Час готовності становить 26 нс, а заряд затвора — 46 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO263, що передбачає поверхневий монтаж (SMD). Технологія TrenchP™. Опір у відкритому стані (Rds) становить 39 мОм.
Комплектація
У наборі постачається 5 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 26 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴