Транзистор P-MOSFET IXYS IXTA120P065T, -65 В, -120 А, 298 Вт, TO263 (набір 5 шт.)
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM203694
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTA120P065T, -65 В, -120 А, 298 Вт, TO263 (набір 5 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор IXYS IXTA120P065T з каналом P-типу (P-MOSFET): напруга стік-витік -65 В, струм стоку -120 А, максимальна потужність розсіювання 298 Вт. У наборі 5 шт.
- Напруга стік-витік: -65 В
- Струм стоку: -120 А
- Максимальна потужність розсіювання: 298 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 10 мОм
- Корпус: TO263
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 15 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 10 мОм. Заряд затвора — 185 нКл. Час готовності — 53 нс.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO263, тип монтажу — поверхневий. Технологія — TrenchP™. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), полярність — уніполярний транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 298 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 53 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴