Транзистор IXYS IXFY36N20X3, N-MOSFET, 200 В, 36 А, TO252, набір 5 шт.

Транзистор IXYS IXFY36N20X3 — це польовий N-MOSFET з напругою стік-витік 200 В та струмом стоку 36 А. Прилад виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу та має максимальну потужність розсіювання 176 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 36 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 45 мОм
• Корпус: TO252, монтаж поверхневий
• У комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 200 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 36 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 45 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 176 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO252, що передбачає поверхневий тип монтажу. Технологія виробництва — HiPerFET™, X3-Class. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), поляризація — уніполярна.

Заряд та технологія виробництва

Заряд затвора становить 21 нКл. Час готовності (turn-on time) — 75 нс.

У наборі постачається 5 транзисторів.