Транзистор IXYS IXFT120N30X3HV, N-MOSFET, 300 В, 120 А, TO268 (2 шт.)

Транзистор IXYS IXFT120N30X3HV — це польовий N-MOSFET у корпусі TO268. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 300 В та струм стоку 120 А. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 300 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Потужність розсіювання: 735 Вт
• Опір у відкритому стані: 11 мОм
• Корпус: TO268, монтаж поверхневий
• У комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 300 В та максимальною напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а потужність розсіювання — 735 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 11 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HiPerFET™, X3-Class. Канал транзистора є збагачуваним (wzbogacany), а поляризація — уніполярною. Час готовності (turn-on time) становить 145 нс, а заряд затвора — 170 нКл. Монтаж здійснюється поверхневим способом (SMD).

Комплектація та ідентифікація

У наборі знаходиться 2 транзистори IXFT120N30X3HV.