Транзистор IXYS IXFQ90N20X3, N-MOSFET, 200 В, 90 А, 390 Вт, TO3P — набір 3 шт.

Транзистор IXYS IXFQ90N20X3 — це польовий N-MOSFET транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 90 А. Прилад виконаний у корпусі TO3P і має максимальну потужність розсіювання 390 Вт.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 90 А
• Максимальна потужність розсіювання: 390 Вт
• Корпус: TO3P
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 200 В та максимально допустимим струмом стоку 90 А. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 12.8 мОм, а максимальна потужність розсіювання — 390 Вт.

Конструкція та монтаж

Прилад має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO3P. Технологія виготовлення — HiPerFET™, X3-Class. Час готовності транзистора становить 85 нс, а заряд затвора — 78 нКл.

Комплектація

У комплекті поставляється 3 шт. транзисторів. Символ виробника: IXFQ90N20X3.