Транзистор N-MOSFET IXYS IXFQ60N25X3, 250В, 60А, TO3P (набір 3 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFQ60N25X3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 250 В та струм стоку 60 А. Прилад виконаний у корпусі TO3P із вставним типом монтажу та має максимальну потужність розсіювання 320 Вт.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 250 В
• Максимальний струм стоку: 60 А
• Потужність розсіювання: 320 Вт
• Опір у відкритому стані: 23 мОм
• Корпус: TO3P, вставний монтаж
• Час готовності: 95 нс
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 250 В та витримує струм стоку до 60 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 23 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 320 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO3P. Час готовності (готовності до роботи) становить 95 нс. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.

Технічні особливості

У комплекті поставляється 3 шт. транзисторів IXFQ60N25X3. Символ TME для цього набору — IXFQ60N25X3.