Транзистор IXYS IXFP12N65X2, N-MOSFET, 650 В, 12 А, 180 Вт (набір 5 шт.)

Транзистор IXYS IXFP12N65X2 — це N-канальний MOSFET типу X2-Class із напругою стік-витік 650 В та струмом стоку 12 А. Прилад має максимальну потужність розсіювання 180 Вт та час готовності 155 нс.

• Тип транзистора: N-MOSFET, X2-Class
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 12 А
• Потужність розсіювання: 180 Вт
• Опір у відкритому стані: 310 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Набір: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 650 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 310 мОм. Заряд затвора — 18,5 нКл.

Конструкція та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO220AB із вставним типом монтажу. Це польовий транзистор із збагачуваним каналом (wzbogacany) та уніполярною поляризацією. Технологія виготовлення — HiPerFET™, X2-Class.

Комплектація та технологія

У наборі постачається 5 транзисторів.