Транзистор IXYS IXFN360N10T, 100 В, 360 А, SOT227B

IXFN360N10T — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS у корпусі SOT227B. Пристрій характеризується максимальною напругою стік-витік 100 В та струмом стоку 360 А.

• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 360 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 2.6 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 830 Вт
• Корпус: SOT227B
• Технологія: GigaMOS™, HiPerFET™

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 100 В та максимальною напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 360 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 2.6 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 830 Вт.

Технологія та конструкція

Компонент виготовлений за технологіями GigaMOS™ та HiPerFET™. Час готовності (turn-on time) становить 130 нс. Корпус SOT227B. Монтаж механічний та електричний — прикручений. Структура напівпровідника — одиночний транзистор. Тип модуля — транзисторний MOSFET. Поляризація — уніполярний. Канал — збагачений.