Модуль транзистор IXYS IXFN26N100P, 1000 В, 23 А, SOT227B

Модуль IXYS IXFN26N100P — це напівпровідниковий компонент у корпусі SOT227B. Пристрій є одиночним MOSFET-транзистором з максимальною напругою стік-витік 1000 В та струмом стоку 23 А.

• Максимальна напруга стік-витік: 1000 В
• Максимальний струм стоку: 23 А
• Потужність розсіювання: 595 Вт
• Опір у відкритому стані: 390 мОм
• Корпус: SOT227B (прикручуваний)

Електричні параметри

Модуль розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 1000 В, а затвор-витік — 40 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 23 А, що визначає робочий режим пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) складає 390 мОм, що впливає на теплові втрати при проходженні струму.

Потужність та монтаж

Максимальна потужність розсіювання модуля — 595 Вт. Корпус SOT227B передбачає прикручування для кріплення та електричного з'єднання. Час готовності (готовності до роботи) становить 300 нс. Модуль виготовлений за технологією HiPerFET™, Polar™. Структура напівпровідника — одиночний транзистор. Канал — збагачуваний, поляризація — уніполярна. Імпульсний струм стоку становить 65 А. Заряд затвора — 197 нКл.