Модуль транзистор IXYS IXFN210N20P, 200 В, 188 А, SOT227B

Одинарний силовий MOSFET-модуль IXYS IXFN210N20P у корпусі SOT227B. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 188 А.

• Максимальна потужність розсіювання: 1070 Вт
• Напруга стік-витік: 200 В
• Струм стоку: 188 А
• Опір у відкритому стані: 10.5 мОм
• Корпус: SOT227B

Електричні параметри

Модуль має максимальну потужність розсіювання 1070 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В, а напруга стік-витік — 200 В. Максимальний струм стоку дорівнює 188 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 10.5 мОм.

Технологія та структура

Модуль побудований на базі технологій HiPerFET™ та Polar™. Структура напівпровідника — одинарний транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний) та уніполярною поляризацією. Заряд затвора становить 255 нКл, а імпульсний струм стоку — 600 А.