Транзистор IXYS IXFN20N120P, 1200 В, 20 А, SOT227B — набір 2 шт.
2 750 ₴
- В наявності
- Код: TM203669
Транзистор IXYS IXFN20N120P, 1200 В, 20 А, SOT227B — набір 2 шт.В наявності
2 750 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Одинарний MOSFET-транзистор IXFN20N120P від виробника IXYS у корпусі SOT227B. Пристрій розрахований на максимальну напругу 1,2 кВ та струм стоку 20 А.
- Максимальна напруга: 1200 В
- Струм стоку: 20 А
- Потужність розсіювання: 595 Вт
- Опір у відкритому стані: 570 мОм
- Корпус: SOT227B
- У комплекті: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 40 В та опір у відкритому стані 570 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 595 Вт. Час готовності пристрою — 300 нс.
Конструкція та монтаж
Модуль виконаний у корпусі SOT227B з монтажем прикручуванням. Структура напівпровідника — одинарний транзистор з каналом збагачення. Технологія виробництва — HiPerFET™, Polar™.
Технологія та структура
У наборі постачається 2 шт. транзисторів IXFN20N120P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 595 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 570 mOm |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | SOT227B |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 750 ₴