Транзистор IXYS IXFN180N15P, 150 В, 150 А, SOT227B

IXFN180N15P — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS у корпусі SOT227B. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 150 А.

• Максимальна напруга стік-витік: 150 В
• Максимальний струм стоку: 150 А
• Потужність розсіювання: 680 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 11 мОм
• Корпус: SOT227B, монтаж прикручуванням
• Технологія: HiPerFET™, PolarHT™

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та максимально допустимий струм стоку 150 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 11 мОм.

Потужність та технологія

Максимальна потужність розсіювання дорівнює 680 Вт. Компонент виготовлений за технологіями HiPerFET™ та PolarHT™. Час готовності транзистора становить 200 нс.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у вигляді модуля з одним транзистором у корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж здійснюється прикручуванням.