Транзистор IXYS IXFN132N50P3, 500 В, 112 А, корпус SOT227B
3 280 ₴
- В наявності
- Код: TM203667
Транзистор IXYS IXFN132N50P3, 500 В, 112 А, корпус SOT227BВ наявності
3 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXFN132N50P3 — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS у модульному виконанні. Пристрій розрахований на високу напругу 500 В та струм стоку до 112 А,
- Напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 112 А
- Потужність розсіювання: 1500 Вт
- Опір у відкритому стані: 39 мОм
- Корпус: SOT227B
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік — 40 В. Максимальний струм стоку дорівнює 112 А, при цьому опір у відкритому стані (Rds) — 39 мОм. Максимальна потужність розсіювання модуля — 1500 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT227B з монтажем прикручуванням. Це модуль з одним транзистором (single transistor), Час готовності становить 250 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1500 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 40 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 112 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 39 mOm |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 280 ₴