Транзистор IXYS IXFN100N50P, 500 В, 75 А, SOT227B

Одинарний силовий MOSFET-транзистор IXYS IXFN100N50P у корпусі SOT227B. Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, максимально допустимий струм стоку — 75 А.

• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 75 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 49 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 1040 Вт
• Корпус: SOT227B (прикручений монтаж)
• Технологія: HiPerFET™

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 500 В та максимально допустимий струм стоку 75 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 49 мОм, що визначає втрати потужності при проходженні струму. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 1040 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HiPerFET™ і має час готовності 200 нс. Корпус SOT227B передбачає прикручений монтаж як для електричного, так і для механічного кріплення. Структура напівпровідника — одинарний транзистор з каналом збагаченого типу та уніполярною поляризацією. Максимальний струм стоку в імпульсі становить 250 А. Заряд затвора дорівнює 240 нКл. Тип модуля напівпровідника — транзисторний MOSFET.