Транзистор IXYS IXFL32N120P N-MOSFET 1,2 кВ 24 А

Транзистор IXYS IXFL32N120P — це польовий транзистор типу N-MOSFET з напругою 1,2 кВ та струмом 24 А. Прилад має максимальну потужність розсіювання 520 Вт та опір у відкритому стані 340 мОм.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга: 1,2 кВ
• Максимальний струм стоку: 24 А
• Потужність розсіювання: 520 Вт
• Опір у відкритому стані: 340 мОм
• Тип монтажу: Вставний

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою 1,2 кВ та витримує струм стоку до 24 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 340 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 520 Вт.

Конструкція та монтаж

Тип монтажу — вставний. Корпус виконаний у форматі ISOPLUS i5-pac™. Транзистор є уніполярним із каналом типу wzbogacany (збагачений).