Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK32N80Q3, 800 В, 32 А, 1000 Вт, TO264 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXFK32N80Q3 від виробника IXYS — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 32 А. У комплекті поставляються 2 одиниці в корпусі TO264.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 32 А
• Потужність розсіювання: 1000 Вт
• Опір у відкритому стані: 270 мОм
• Корпус: TO264, вставний монтаж
• Комплектація: 2 шт.

Електричні параметри та монтаж

Максимальна напруга стік-витік становить 800 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 32 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 270 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання — 1000 Вт. Транзистор виконаний у корпусі TO264 з вставним типом монтажу. Поляризація — уніполярна. Заряд затвора становить 0,14 мкКл.