Транзистор IXYS IXFH60N50P3, N-MOSFET, 500 В, 60 А, 1040 Вт, TO247-3 — набір 3 шт.

Транзистор IXYS IXFH60N50P3 — це польовий N-MOSFET у корпусі TO247-3 з максимальною напругою стік-витік 500 В та струмом стоку 60 А. Прилад має потужність розсіювання 1040 Вт та опір у відкритому стані 110 мОм.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 60 А
• Потужність розсіювання: 1040 Вт
• Опір у відкритому стані: 110 мОм
• Корпус: TO247-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 60 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 110 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Час готовності становить 250 нс. Прилад належить до технології HiPerFET™, Polar3™ та має збагачуваний канал.

Комплектація

У комплекті поставки знаходиться 3 шт. транзисторів.