Транзистор IXYS IXFB150N65X2 N-MOSFET 650В 150А

Транзистор IXYS IXFB150N65X2 — це польовий транзистор типу N-MOSFET з напругою стік-витік 650 В та струмом стоку 150 А. Прилад виконаний у корпусі PLUS264™ із вставним типом монтажу.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 150 А
• Потужність розсіювання: 1560 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 17 мОм
• Корпус: PLUS264™

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 1560 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 650 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимально допустимий струм стоку — 150 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 17 мОм.

Технологія виготовлення

Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™ класу X2-Class. Канал транзистора є збагаченим (wzbogacany), а поляризація — уніполярною.