Транзистор IGBT IXYS IXBH16N170, 1,7 кВ, 16 А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор IGBT виробника IXYS, модель IXBH16N170. Це напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3 із технологією BiMOSFET™, розрахований на максимальну напругу 1,7 кВ та струм 16 А. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: IGBT (польовий)
• Максимальна напруга: 1,7 кВ
• Струм колектора: 16 А
• Потужність розсіювання: 250 Вт
• Корпус: TO247-3
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 1,7 кВ та максимальний допустимий струм колектора 120 А (номінальний струм у назві: 16 А). Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт. Заряд затвора дорівнює 72 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі TO247-3 із вставним типом монтажу. Використовується технологія BiMOSFET™ та FRED.

Комплектація

У наборі знаходиться 2 транзистори IXBH16N170.