Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR8726TRPBF, 30 В, 61 А, DPAK (набір 30 шт.)
2 750 ₴
- В наявності
- Код: TM203521
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR8726TRPBF, 30 В, 61 А, DPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 750 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR8726TRPBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Прилад має максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 61 А. У комплекті поставляється 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 61 А
- Потужність розсіювання: 75 Вт
- Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 61 А, а імпульсний струм — 340 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5.8 mOm. Максимальна потужність розсіювання — 75 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі типу DPAK. Це поверхневий монтаж (SMD). Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 61 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 750 ₴