Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR3636TRPBF, 60В, 99А, DPAK (набір 20 шт.)
3 650 ₴
- В наявності
- Код: TM203520
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR3636TRPBF, 60В, 99А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
3 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRLR3636TRPBF. Це польовий транзистор з максимальним струмом стоку 99 А та напругою стік-витік 60 В. У комплекті поставляється 20 штук.
- Струм стоку: 99 А
- Напруга стік-витік: 60 В
- Потужність розсіювання: 143 Вт
- Корпус: DPAK
- Монтаж: поверхневий
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 143 Вт. Максимально допустима напруга між стоком і витоком становить 60 В. Максимальний струм стоку досягає 99 А.
Конструкція та монтаж
Виріб виготовлений у корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Використовується технологія HEXFET®.
Комплектація
У наборі 20 транзисторів. Символ виробника: IRLR3636TRPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 143 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 99 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 650 ₴