Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4030PBF, 100 В, 180 А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4030PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення та логічним рівнем керування затвором. Пристрій у корпусі TO220AB розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 180 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 180 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 4.3 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Комплектація: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — 16 В. Максимальний струм стоку дорівнює 180 А, що визначає пропускну здатність каналу. Опір у відкритому стані (Rds) — 4.3 мОм, що характеризує втрати потужності при повному відкритті. Максимальна потужність розсіювання — 370 Вт.

Технологія та конструкція

Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний, що передбачає пайку в отвори друкованої плати. Поляризація транзистора — уніполярна, тип транзистора — польовий. Заряд затвора становить 87 нКл.