Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF, 30В, 260А, 230Вт, TO220AB (набір 20 шт.)
3 580 ₴
- В наявності
- Код: TM203516
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF, 30В, 260А, 230Вт, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
3 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 260 А.
- Максимальний струм стоку: 260 А
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Потужність розсіювання: 230 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 1.95 мОм
- Корпус: TO220AB, вставний монтаж
- Комплектація: 20 шт. у наборі
Електричні параметри та потужність
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 230 Вт та опір у відкритому стані (Rds) 1.95 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а заряд затвора — 57 нКл. Прилад працює за технологією HEXFET® та має логічний рівень керування (logic level).
Технологія та конструкція
Компонент виготовлений у корпусі TO220AB з вставним типом монтажу. Це уніполярний транзистор з каналом збагачення (wzbogacany).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 260 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.95 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 580 ₴