Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF, 100В, 9.1А, IPAK (набір 30 шт.)
2 730 ₴
- В наявності
- Код: TM203505
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF, 100В, 9.1А, IPAK (набір 30 шт.)В наявності
2 730 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі IPAK та має максимальну напругу стік-витік 100 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 9.1 А
- Потужність розсіювання: 39 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж вставний
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Прилад розрахований на максимальний струм стоку 9.1 А та напругу затвор-витік 20 В. Максимальна потужність розсіювання становить 39 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 210 mOm.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі типу IPAK. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати. Поляризація транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний (enhancement).
Комплектація
У наборі постачається 30 шт. транзисторів IRFU120NPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 210 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 730 ₴